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OM2+/OM3/OM4 弯曲不敏感多模光纤

OM2+/OM3/OM4 弯曲不敏感多模光纤

产品详情

特性

优势及应用

  • 为850nm VCSELs优化设计

  • 与现有OM2+/OM3/OM4多模光纤兼容

  • 优越的几何一致性

  • 低衰减

  • 高带宽

  • 低差分模时延(DMD)

  • 数据中心

  • 数据存储网络

  • 高性能计算中心

  • 办公中心

  • 局域网

  • 1 & 10 & 40 & 100 & 400 Gb/s以太网

  • 非常低的宏弯敏感性

  • 支持在小弯曲半径下使用和安装光缆

  • 采用长飞专有双层紫外光固化丙烯酸酯涂层

  • 优良的抗微弯性能

  • 用于紧套光缆性能优越

  • 在多种环境条件下保持性能稳定


规格参数

特性条件数据单位
几何特性
芯直径--50±2.5

[μm]

芯不圆度--≤5.0[%]
包层直径--125.0±1.0[μm]
包层不圆度--≤0.6

[%]

涂层直径--245±7[μm]
涂层/包层同心度--≤10.0[μm]
涂层不圆度--≤6.0

[%]

芯层/包层同心度--≤1.0[μm]
光纤长度--最长到8.8[km/盘]
光学特性
衰减850nm≤2.4[dB/km]
1300nm≤0.6[dB/km]
----超贝® OM2+/ OM3/OM4弯曲不敏感--
满注入带宽850nm≥700/≥1500/≥3500
[MHz·km]
1300nm≥500/≥500/≥500[MHz·km]
有效模式带宽850nm
≥950/≥2000/≥4700[MHz·km]
链路长度------
40GBASE-SR4 / 100GBASE-SR101850nm-/140/170[m]
10GBASE-SR850nm150/300/550[m]
1000BASE-SR850nm750/1000/1100[m]
差分模时延DMD满足或优于IEC 60793-2-10规范----
数值孔径--0.200±0.015--
群折射率850nm1.482--
1300nm1.477--
零色散波长--1295-1340[nm]
零色散斜率1295nm≤λ0≤1310nm≤0.105

[ps/(nm2·km)]

1310nm≤λ0≤1340nm≤0.000375(1590-λ0)

[ps/(nm2·km)]

宏弯损耗2------
2圈,半径15mm850nm≤0.1[dB]
1300nm≤0.3[dB]
2圈,半径7.5mm850nm≤0.2[dB]
1300nm≤0.5[dB]
背向散射特性 1300nm
台阶(双向测量的平均值)--≤0.10

[dB]

长度方向的不规律性和点不连续性--≤0.10

[dB]

衰减不均匀性--≤0.08[dB/km]
环境特性 850nm 和 1300nm
温度附加衰减-60℃ 到85℃≤0.10

[dB/km]

温度-湿度循环附加衰减-10℃ 到85℃,4%到98% 相对湿度≤0.10

[dB/km]

浸水附加衰减23℃, 30 天≤0.10

[dB/km]

干热附加衰减85℃,30天≤0.10

[dB/km]

湿热附加衰减85℃和85%相对湿度,30天≤0.10

[dB/km]

机械特性
筛选张力--≥9.0[N]
--≥1.0[%]
--≥100[kpsi]
涂层剥离力
典型平均剥离力1.5[N]
峰值力≥1.3,≤8.9[N]
动态疲劳参数(nd, 典型值)--20--


备注: 1、光缆在850 nm的最大衰减为3.0 dB/km、熔接/连接器的最大总损耗为1.0 dB以及VCSEL的最大均方根谱宽≤ 0.45 nm情况下的支持距离。2、宏弯损耗测试的注入条件需满足IEC 61280-4-1标准


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